Tipik yapı kombinasyonu:
Çip → Isı yayıcı / Silikon → VC ısı emici / Bakır levha → Grafit levha (yanal ısı genleşmesi için) → Muhafaza / Kanat;
Yüksek-sıcaklıklı vakum senaryosu: Yüksek-saflıkta izostatik grafit taban / Isı dağıtma bloğu / Grafit vidalar, doğrudan ısı alanı taşıyıcısı ve ısı dağıtma görevi görür.
İhtiyacınız olduğunda her zaman hizmetinizdeyiz
Isıl İletkenlik Prensibi: Anizotropik Katmanlı Yapı
Grafit, altıgen katmanlı yapılarda düzenlenmiş sp² hibritlenmiş karbon atomlarından oluşur:
Katman içinde (-düzlemde): Güçlü kovalent bağlar, fonon iletim verimliliği son derece yüksektir → Düzlemde ultra-yüksek termal iletkenlik
Katmanlar arasında (dikey düzlem): Zayıf van der Waals kuvvetleri → Düzlem-dışında- ısı iletkenliği son derece düşüktür (≈ 10⁻²⁵ W/m・K)
Temel Özellikler: Anizotropi - Düzlem boyunca güçlü termal iletkenlik, düzleme dik olarak çok zayıf termal iletkenlik; Yanal ısı genleşmesini sağlamak için tasarım-düzlem yönünde düzenlenmelidir.am
Temel Avantaj
Verimli ısı iletimi
Son derece güçlü ısı genleşme kapasitesine sahip ultra-düzlemde-yüksek ısı iletimi: düzlemde 1500–2000 W/m・K, bakırın 4–5 katı; Noktasal ısı kaynağını hızlı bir şekilde bir düzleme yayar, çip bağlantı sıcaklığını önemli ölçüde azaltır ve sıcak noktaları ortadan kaldırır.
Olağanüstü çevresel uyumluluk
Son derece hafif, ultra-ince, esnek ve aşağıdakilerle uyumlu olabilir: Yoğunluk ≈ 1/4 bakır, alüminyumun 0,8 katı; Kalınlık 17 μm'ye ulaşabilir; Bükülebilir, kavisli yüzeylere yapıştırılabilir ve dar alanlara sığabilir, ince ve minyatürleştirilmiş yarı iletken/elektronik cihazlara uygundur.
Özelleştirilmiş tasarım
Düşük termal genleşme, sabit boyutlar, termal şoka dayanıklı: Termal genleşme katsayısı 1–4 ppm/derece, bakır ve alüminyumdan çok daha düşük; yüksek-sıcaklık döngüsü sırasında deformasyona veya çatlamaya yatkın değildir; SiC/GaN, levha işleme ve güç modüllerinin uzun-dönem kararlı çalışması için uygundur.
Yüksek sıcaklık direnci, kimyasal eylemsizlik, iyi vakum stabilitesi: İnert / vakum koşulları altında
Pazar Büyüklüğü ve Büyüme Oranı (2024–2032)
Yarı iletkenler için özel grafit (ısı dağıtımı dahil) için küresel pazar 2024'te: 399 milyon dolar, 2031'de %5,5'lik bir Bileşik Büyüme Oranı (CAGR) ile 577 milyon dolara ulaşması bekleniyor;
SiC külçe grafit bileşenleri için küresel pazar 2024'te: 2,783 milyar yuan, 2031'de %12,91'lik bir CAGR ile 6,941 milyar yuan'a ulaşması bekleniyor;
2025'te Çin grafit soğutucu pazarı: yıllık %19,3 artışla-18,67 milyar yuan-; cep telefonları %42,5, yeni enerji araçları/güç elektroniği %28, sunucular/yapay zeka %15 ve diğerleri %14,5;
Etkenler: SiC/GaN penetrasyon oranında artış, yapay zeka bilgi işlem gücü, hafiflik ve incelme, hızlandırılmış yerli ikame
Teknik Özellikler
| Öğe | Yüksek-saflıkta Sert Grafit | Emdirilmiş Grafit | Esnek Grafit | Test Durumu |
|---|---|---|---|---|
| Sabit Karbon | %99,95'ten büyük veya eşit | %99,9'dan büyük veya eşit | %98,5'ten büyük veya eşit | Oda Sıcaklığı |
| Toplu Yoğunluk (g/cm³) | 1.75~1.90 | 1.70~1.85 | 1.10~1.40 | Oda Sıcaklığı |
| Maks. Sıcaklık (Vakum) | 2200 derece | 2100 derece | 1800 derece | Ar / N₂ |
| Maks. Sıcaklık (Hava) | 450 derece / 1800 derece (SiC kaplı) | 420 derece | 380 derece | Atmosferik |
| Gaz Kaçak Hızı (Pa·m³/s) | 10−9'dan küçük veya ona eşit | 5×10−9'dan küçük veya ona eşit | 10−8'den küçük veya eşit | Yüksek Vakum |
| Isıl Genleşme Katsayısı (/ derece) | 1.8∼2.2×10−6 | 2.0∼2.5×10−6 | 2.5∼3.0×10−6 | 25~1000 derece |
| Sıkıştırma Oranı | - | 8%~12% | 25%~40% | Standart Basınç |
| Geri Kazanım Oranı | - | %75'ten büyük veya eşit | %60'tan büyük veya eşit | Standart Basınç |
| Uygulanabilir Vakum | 10−4∼10−6 Pa | 10−3∼10−5 Pa | 10−2∼10−4 Pa | Vakumlu Çalışma |
Temel performans verileri (niceliksel)
Sentetik grafit levha:-Düzlem içi ısı iletkenliği 1500–1900 W/m·K, kalınlık 0,017–2 mm, yoğunluk 2,1 g/cm³;
TPG pirolitik grafit: Üst düzey askeri/havacılık/uzay için-düzlem içi ısı iletkenliği 2000–2200 W/m·K;
İzostatik yüksek-saflıkta grafit (ısı dağıtımlı yapısal bileşenler): Saflık %99,99'a eşit veya daha fazla (4N–5N), yoğunluk 1,75–1,9 g/cm³, bükülme mukavemeti 30 MPa'ya eşit veya daha büyük, vakum tahliye hızı 10⁻⁹ Pa·m³/(m²·s)'ye eşit veya daha az;
Termal genleşme katsayısı: 1–4 ppm/derece, yalnızca 1/5 bakır ve 1/6 alüminyum.
Evcilleştirme ve rekabet ortamı
Küresel liderler: SGL (Almanya), Toyo Carbon (Japonya), Mercon (Fransa);
Çin'de evcilleştirme oranı: 2020 < %15, 2025 ≈ **%35**, 2030 hedefi > %60; Üst düzey yüksek-saflık ve kaplamalı grafit (SiC/TaC) çığır açan gelişmeleri hızlandırıyor.
Popüler Etiketler: yarı iletken grafit ısı emiciler, Çin yarı iletken grafit ısı emiciler üreticileri, tedarikçiler, fabrika, yarı iletken ekipmanlar için grafit burçlar, entegre devre üretimi için grafit elektrotlar, grafit vc homojen sıcaklık plakası, yarı iletken sınıfı grafit, yarı iletken grafit ısı emiciler, gofret üretimi grafit
